锗作为一种稀有金属，具备多方面的特殊性质：化学稳定性好、耐腐蚀强、易加工，高而均匀的透过率和高折射率，高抗辐射、高频、光电性能好。
在半导体工业 、 航空航天工业，高频超高频电子、光纤通讯、电子器件、PET 催化剂、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。
原晶电子科技有限公司供应2-6英寸锗片，厚度150um+，导电类型：N型、P型、非掺。
典型规格见下表：
Semi-conducting Ge Specifications
| Growth Method | VGF |
| Dopant | n-type: As; p-type: Ga |
| Wafer Shape | Round (DIA: 2" 4" 6") |
| Surface Orientation | (100)±0.5° |
Other Orientations maybe available upon request
| Dopant | As (n-type) | Ga (p-type) |
| Resistivity (Ω.cm) | 0.05-0.25 | 0.005-0.04 |
| Etch Pitch Density (cm2) | ≤ 300 | ≤ 300 |
| Wafer Diameter (mm) | 50.8±0.3 | 100±0.3 |
| Thickness (µm) | 175±25 | 175±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 15 | |
| WARP (µm) | ≤ 25 | ≤ 25 |
| IF* (mm) | 17±1 | 32.5±1 |
| OF (mm) | 7±1 | 18±1 |
| Polish | E/E, P/E, P/G | E/E, P/E, P/G |
| Backside Ra (µm) | < 0.1 | < 0.1 |
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